SiC-MOSFET-Kaskode, N-Kanal, 650V, 41A, D2PAK-3

SiC-MOSFET-Kaskode, Typ=UF3C065040B3, Abfallzeit=12 ns, Anstiegzeit=15 ns, Ausschaltverzögerung=58 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=650 V, Einschaltverzögerung=33 ns, Gate-Source-Spannung=25 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=41 A, Leistungsverteilung (PV)=176 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=250 °C, Widerstand EIN (Rds(On))=42 mΩ, Bauform=D2PAK-3, Konfiguration=Einfach, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=N-Kanal, Verpackung=Röhre