Produktinformationen: | | |
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| Artikel-Nr.:
108EL-9114940 Herst.-Nr.:
SPW11N80C3FKSA1 EAN/GTIN:
5059043351025 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 450 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 156 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 8 nC @ 10 V
Diodendurchschlagsspannung = 1.2V
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C3 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 11 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 450 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Verlustleistung max.: | 156 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 8 nC @ 10 V | Diodendurchschlagsspannung: | 1.2V |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet infineon, leistungs-mosfet, mosfet 11a, 9114940, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, SPW11N80C3FKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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