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| Artikel-Nr.:
108EL-8080146 Herst.-Nr.:
MJD31T4G EAN/GTIN:
5059042644692 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 3 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 40 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 15 W
Gleichstromverstärkung min. = 10
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 40 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 1 kHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Leistungstransistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 3 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 40 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 15 W | Gleichstromverstärkung min.: | 10 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 40 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 1 kHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 8080146, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJD31T4G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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