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| Artikel-Nr.:
108EL-8024458 Herst.-Nr.:
IXFQ26N50P3 EAN/GTIN:
5059041490085 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 26 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Serie = HiperFET, Polar3
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 240 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 500 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 26 A | Drain-Source-Spannung max.: | 500 V | Serie: | HiperFET, Polar3 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 240 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Verlustleistung max.: | 500 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet, 8024458, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFQ26N50P3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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