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| Artikel-Nr.:
108EL-7916075 Herst.-Nr.:
MBT3906DW1T1G EAN/GTIN:
5059042504903 |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = –200 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = –40 V
Gehäusegröße = SOT-363 (SC-88)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 150 mW
Gleichstromverstärkung min. = 100
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Kollektor-Basis-Spannung max. = -40 V
Basis-Emitter Spannung max. = -5 V
Arbeitsfrequenz max. = 1 kHz
Pinanzahl = 6
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Abmessungen = 2.2 x 1.35 x 1mm
Hersteller-Teilenummern mit S- oder NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. Kleinsignal-PNP-Transistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | –200 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | –40 V | Gehäusegröße: | SOT-363 (SC-88) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 150 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 100 | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Kollektor-Basis-Spannung max.: | -40 V | Basis-Emitter Spannung max.: | -5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 1 kHz | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Abmessungen: | 2.2 x 1.35 x 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: schalttransistor pnp, smd transistor, 7916075, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MBT3906DW1T1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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