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| Artikel-Nr.: 108EL-7814241 Herst.-Nr.: MMBT5089LT1G EAN/GTIN: 5059042800432 |
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| Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 50 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 30 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 225 mW Gleichstromverstärkung min. = 400 Transistor-Konfiguration = Einfach Kollektor-Basis-Spannung max. = 25 V dc Basis-Emitter Spannung max. = 4,5 V Arbeitsfrequenz max. = 20 MHz Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm
Rauscharme bipolare Transistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 50 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 225 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 400 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 25 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | 4,5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 20 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 7814241, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MMBT5089LT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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