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| Artikel-Nr.:
108EL-7737888 Herst.-Nr.:
NTD25P03LT4G EAN/GTIN:
5059042098822 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 25 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 90 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Verlustleistung max. = 75 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -15 V, +15 V
Breite = 6.22mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C
P-Kanal Leistungs-MOSFET, 30 V bis 500 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 25 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 90 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Verlustleistung max.: | 75 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -15 V, +15 V | Breite: | 6.22mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 7737888, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTD25P03LT4G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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