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onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 600 V 349 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal


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onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 600 V 349 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
Artikel-Nr.:
     108EL-7599279
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FGH40N60SMD
EAN/GTIN:
     5059042049305
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
on semiconductor igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 349 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.6 x 4.7 x 20.6mm
Betriebstemperatur max. = +175 °C

Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
80 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
349 W
Gehäusegröße:
TO-247
Montage-Typ:
THT
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
3
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Abmessungen:
15.6 x 4.7 x 20.6mm
Betriebstemperatur max.:
+175 °C
Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 7599279, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FGH40N60SMD, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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