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| Artikel-Nr.:
108EL-7527965 Herst.-Nr.:
BCM856SH6327XTSA1 EAN/GTIN:
5059045867715 |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = -100 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = -65 V
Gehäusegröße = SOT-363 (SC-88)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 250 mW
Gleichstromverstärkung min. = 200
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Kollektor-Basis-Spannung max. = 80 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 250 MHz
Pinanzahl = 6
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Abmessungen = 2 x 1.25 x 0.8mm
Bipolare abgestimmte Doppeltransistoren, Infineon Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | -100 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | -65 V | Gehäusegröße: | SOT-363 (SC-88) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 250 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 200 | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 80 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 250 MHz | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Abmessungen: | 2 x 1.25 x 0.8mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd-transistor pnp, smd transistor, transistor infineon, 7527965, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Infineon, BCM856SH6327XTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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