Infineon HEXFET IRFB4019PBF N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 17 A 80 W, 3-Pin TO-220AB

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 17 A
Drain-Source-Spannung max. = 150 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 95 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.9V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 80 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Länge = 10.66mm
Höhe = 9.02mm

MOSFET für Digital-Audio, Infineon. Verstärker der Klasse D werden schnell zur bevorzugten Lösung für kommerzielle und private Audio- und Videosysteme. Infineon bietet ein umfassendes Sortiment von Produkten an, die das Design von Verstärkern der Klasse D mit hoher Effizienz vereinfachen.