|  |
| |
| Artikel-Nr.:
108EL-6867890 Herst.-Nr.:
MJD3055T4 EAN/GTIN:
5059042977226 |
| |
|
| | |
| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 10 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 60 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 20 W
Gleichstromverstärkung min. = 20
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 70 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 2 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 2.4 x 6.6 x 6.2mm
NPN-Leistungstransistoren, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 10 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 60 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 20 W | Gleichstromverstärkung min.: | 20 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 70 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 2 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 2.4 x 6.6 x 6.2mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, stmicroelectronics transistor, 6867890, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, STMicroelectronics, MJD3055T4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
| | |
| |