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| Artikel-Nr.:
108EL-5406576 Herst.-Nr.:
RN1107(TE85L,F) EAN/GTIN:
5059041971768 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 100 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V
Gehäusegröße = ESM
Montage-Typ = SMD
Gleichstromverstärkung min. = 80
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 6 V
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Widerstandsverhältnis = 0.213
Transistor mit integriertem Widerstand, Serie BRT, Toshiba. Integrierte Vorwiderstände, der Einsatz von weniger Teilen reduziert die Größe und spart Platz bei der Montage Großer Widerstands-Wertebereich macht dieses Produkt für diverse Anwendungen geeignet Ergänzung zu den Produkten von RN1101 / RN2101 bis RN1118 / RN2118 Anwendungen: Schalten, Frequenzumrichterschaltungen, Schnittstellenstromkreise, Treiberstromkreise SSM-Gehäuse Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 100 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 50 V | Gehäusegröße: | ESM | Montage-Typ: | SMD | Gleichstromverstärkung min.: | 80 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | 6 V | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Widerstandsverhältnis: | 0.213 |
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| Weitere Suchbegriffe: smd-transistor npn, smd transistor, transistor toshiba, 5406576, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Toshiba, RN1107(TE85L,F), Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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