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| Artikel-Nr.:
108EL-464136 Herst.-Nr.:
MJD31CT4G EAN/GTIN:
5059042517743 |
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| Transistor-Typ = NPN
Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Kollektor-Basis-Spannung max. = 100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 1,2 V
Verlustleistung max. = 1,56 W
Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Leistungstransistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | Kollektor-Emitter-Spannung: | 100 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 100 V | Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 1,2 V | Verlustleistung max.: | 1,56 W |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 464136, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Darlington Transistoren, onsemi, MJD31CT4G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Darlington Pairs |
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