onsemi NTD2955T4G P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 55 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 12 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 180 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 55 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Höhe = 2.38mm

P-Kanal Leistungs-MOSFET, 30 V bis 500 V, ON Semiconductor