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| Artikel-Nr.:
108EL-463016 Herst.-Nr.:
MJD112T4G EAN/GTIN:
5059042520255 |
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| Transistor-Typ = NPN
Dauer-Kollektorstrom max. = 4 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Gleichstromverstärkung min. = 200
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. = 4 V
Kollektor-Basis-Spannung max. = 100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 3 V
Kollektor-Abschaltstrom max. = 0.02mA
Betriebstemperatur min. = -65 °C
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | Dauer-Kollektorstrom max.: | 4 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 100 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Gleichstromverstärkung min.: | 200 | Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 4 V | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 100 V | Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 3 V | Kollektor-Abschaltstrom max.: | 0.02mA | Betriebstemperatur min.: | -65 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd-transistor npn, smd transistor, onsemi transistor, 463016, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Darlington Transistoren, onsemi, MJD112T4G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Darlington Pairs |
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