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Vishay TrenchFET SiR880BDP-T1-RE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 70,6 A, 8-Pin PowerPAK SO-8


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     108EL-2282913
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SiR880BDP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 70,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Serie = TrenchFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0065 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.4V
Transistor-Werkstoff = Si
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
70,6 A
Drain-Source-Spannung max.:
80 V
Serie:
TrenchFET
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
0,0065 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.4V
Transistor-Werkstoff:
Si
Weitere Suchbegriffe: 2282913, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiR880BDPT1RE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
Die Konditionen im Überblick1
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