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Vishay TrenchFET SiJA22DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 201 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     108EL-2282889
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SiJA22DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 201 A
Drain-Source-Spannung max. = 25 V
Serie = TrenchFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,00074 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.2V
Transistor-Werkstoff = Si
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
201 A
Drain-Source-Spannung max.:
25 V
Serie:
TrenchFET
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
4
Drain-Source-Widerstand max.:
0,00074 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.2V
Transistor-Werkstoff:
Si
Weitere Suchbegriffe: 2282889, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiJA22DPT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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