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| Artikel-Nr.:
108EL-2282813 Herst.-Nr.:
Si2387DS-T1-GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 3 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 11 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 11 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 2282813, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, Si2387DST1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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