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| Artikel-Nr.:
108EL-2052494 Herst.-Nr.:
NTBG160N120SC1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 19,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 225 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.3V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = NTB
Der on Semiconductor SiC N-Kanal 1200 V MOSFET verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Einschaltwiderstand und die kompakte Chip-Größe für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen gehören höchste Effizienz, faster Betrieb, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.Dauerablassstrom: 19,5 A Der Ablass zur Quelle bei einem Widerstand beträgt 224 MOhm Extrem niedrige Gate-Ladung Hohe Schaltgeschwindigkeit und niedrige Kapazität 100 % Lawinengeprüft Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 19,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 7 | Drain-Source-Widerstand max.: | 225 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.3V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | NTB |
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| Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, on semiconductor diode, smd diode, transistor d2-pak, 2052494, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, MOSFET, onsemi, NTBG160N120SC1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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