onsemi NCV8406BDTRKGOS N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 7 A 1,81 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 7 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 210 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 1,81 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±14 V
Breite = 6.22mm
Automobilstandard = AEC-Q101

NCV8406 ist ein Smart-Diskret-Gerät mit drei Terminal und Low-Side-Schutz. Zu den Schutzfunktionen gehören Überstrom, Übertemperatur, ESD und eine integrierte Drain-to-Gate-Klemmung für den Überspannungsschutz. Dieses Gerät bietet Schutz und ist für raue Umgebungen in der Automobilindustrie geeignet.Kurzschlussschutz Thermische Abschaltung mit automatischem Neustart Überspannungsschutz Integrierte Klemme für induktives Schalten ESD-Schutz DV/dt-Robustheit Analoge Antriebsfunktion (Logikespegeleingang) Diese Geräte sind faster als die anderen NCV-Geräte NCV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die erforderlich sind Einzigartige Anforderungen an Standort- und Steuerungsänderungen PPAP-fähig Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei Anwendungen Schalten Sie eine Vielzahl von ohmschen, induktiven und kapazitiven Lasten Kann elektromechanische Relais und diskrete Stromkreise ersetzen Automobilindustrie, industriell