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| Artikel-Nr.:
108EL-1888497 Herst.-Nr.:
STB13007DT4 EAN/GTIN:
5059045839835 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 16 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 700 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 80 W
Gleichstromverstärkung min. = 8
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 9 V
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Das Gerät wird mit der Hochspannungs-Multi-Epitaxial-Planar-Technologie für hohe Schaltgeschwindigkeiten und Mittelspannungsfähigkeit hergestellt. Es verwendet eine Mobilfunk-Emitter-Struktur zur Verbesserung der Schaltgeschwindigkeiten.Vollständig charakterisiert bei 125 °C Sehr hohe Schaltgeschwindigkeit Verbesserte Spezifikation: Niedrigerer Leckstrom, Verstärkungsbereich des Käfers, Vorauswahl der Gleichstromverstärkung, Lagerzeitbereich des Kämpfers Integrierte Freilaufdiode Hochspannungsfestigkeit Minimale Chargenverteilung für zuverlässigen Betrieb Große RBSOA Geringe Ausbreitung von dynamischen Parametern Anwendungen Elektronische Transformatoren für Halogenlampen Getaktete Netzteile Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 16 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 700 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 80 W | Gleichstromverstärkung min.: | 8 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | 9 V | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, stmicroelectronics transistor, 1888497, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, STMicroelectronics, STB13007DT4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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