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| Artikel-Nr.:
108EL-1867395 Herst.-Nr.:
FJB102TM EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN
Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 80 W
Gleichstromverstärkung min. = 200
Transistor-Konfiguration = Dual
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Pinanzahl = 2 + Tab
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Abmessungen = 10.67 x 9.65 x 4.58mm
FJB102: 100-V-Hochleistungstransistor DarlingtonHohe DC-Stromverstärkung: HFE=1000 bei VCE= 4 V, IC= 3 A (min.) Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Hohe Haltespannung des Kollektor-Emitters Monolithische Konstruktion mit integrierten Shunt-Widerständen am unteren Emitter Industrielle Verwendung Anwendungen Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet. Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | Kollektor-Emitter-Spannung: | 100 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 80 W | Gleichstromverstärkung min.: | 200 | Transistor-Konfiguration: | Dual | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Pinanzahl: | 2 + Tab | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Abmessungen: | 10.67 x 9.65 x 4.58mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd-transistor npn, smd transistor, onsemi transistor, 1867395, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, FJB102TM, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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