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| Artikel-Nr.: 108EL-1844956 Herst.-Nr.: BC856BDW1T1G EAN/GTIN: 5059045343714 |
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| Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –200 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -65 V Gehäusegröße = SOT-363 Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 380 mW Gleichstromverstärkung min. = 220 Kollektor-Basis-Spannung max. = –80 V Basis-Emitter Spannung max. = –5 V Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz Pinanzahl = 6 Anzahl der Elemente pro Chip = 2 Abmessungen = 2.2 x 1.35 x 1mm
Hersteller-Teilenummern mit S- oder NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. Kleinsignal-PNP-Transistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | –200 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | -65 V | Gehäusegröße: | SOT-363 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 380 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 220 | Kollektor-Basis-Spannung max.: | –80 V | Basis-Emitter Spannung max.: | –5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Abmessungen: | 2.2 x 1.35 x 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd-transistor pnp, smd transistor, onsemi transistor, 1844956, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, BC856BDW1T1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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