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| Artikel-Nr.:
108EL-1827055 Herst.-Nr.:
DMC2057UVT-7 EAN/GTIN:
5059045247968 |
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| Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 4 A, 3,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = TSOT-26
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 160 mΩ (PChannel), 91 mΩ (nchannel)
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1 (PChannel) V, 1.2 (NChannel) V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4 (NChannel) V, 0.4 (PChannel) V
Verlustleistung max. = 1,1 W
Gate-Source Spannung max. = ±12 V, ±8 V
Breite = 1.7mm
Höhe = 0.9mm
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeit Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom Vollständig bleifrei halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät. Anwendungen Hinterleuchtung. DC/DC-Wandler Stromüberwachungsfunktionen Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N, P | Dauer-Drainstrom max.: | 4 A, 3,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | TSOT-26 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 160 mΩ (PChannel), 91 mΩ (nchannel) | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1 (PChannel) V, 1.2 (NChannel) V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4 (NChannel) V, 0.4 (PChannel) V | Verlustleistung max.: | 1,1 W | Gate-Source Spannung max.: | ±12 V, ±8 V | Breite: | 1.7mm | Höhe: | 0.9mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1827055, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMC2057UVT7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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