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| Artikel-Nr.:
108EL-1807967 Herst.-Nr.:
SQD50P06-15L_GE3 EAN/GTIN:
5059045704041 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,02 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = TrenchFET Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 50 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,02 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | TrenchFET |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 1807967, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQD50P0615L_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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