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| Artikel-Nr.:
108EL-1780862 Herst.-Nr.:
IRFI9610GPBF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 2 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = TO-220FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 27 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 9.8mm
P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Gehäusegröße: | TO-220FP | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 27 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 9.8mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 2a, 1780862, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFI9610GPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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