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| Artikel-Nr.:
108EL-1689545 Herst.-Nr.:
DMC3016LDV-7 EAN/GTIN:
5059043391335 |
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| Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 15 A, 21 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = PDI3333
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 17 mΩ, 38 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2 V, 2.4V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2 V, 1.4V
Verlustleistung max. = 1,8 W
Transistor-Konfiguration = Zwei Sockel
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Höhe = 0.8mm
Zweifacher N/P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N, P | Dauer-Drainstrom max.: | 15 A, 21 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | PDI3333 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 17 mΩ, 38 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2 V, 2.4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.2 V, 1.4V | Verlustleistung max.: | 1,8 W | Transistor-Konfiguration: | Zwei Sockel | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Höhe: | 0.8mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1689545, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMC3016LDV7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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