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| Artikel-Nr.: 108EL-1684486 Herst.-Nr.: IXFP7N80P EAN/GTIN: 5059041351768 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 7 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Serie = HiperFET, Polar Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 1,44 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 5V Verlustleistung max. = 200 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Breite = 4.83mm Höhe = 9.15mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Serie: | HiperFET, Polar | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,44 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Verlustleistung max.: | 200 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Breite: | 4.83mm | Höhe: | 9.15mm |
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| Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet, to-220 mosfet, 1684486, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFP7N80P, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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