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| Artikel-Nr.:
108EL-1632010 Herst.-Nr.:
2SC5569-TD-E EAN/GTIN:
5059042163483 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 7 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V
Gehäusegröße = PCP
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 3,5 W
Gleichstromverstärkung min. = 560
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 100 V
Basis-Emitter Spannung max. = 6 V
Arbeitsfrequenz max. = 330 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. Universal-NPN-Transistoren, über 1 A, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 7 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 50 V | Gehäusegröße: | PCP | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 3,5 W | Gleichstromverstärkung min.: | 560 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 100 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 6 V | Arbeitsfrequenz max.: | 330 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 1632010, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, 2SC5569TDE, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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