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| Artikel-Nr.:
108EL-1630961 Herst.-Nr.:
MJE243G EAN/GTIN:
5059042744286 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 4 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V
Gehäusegröße = TO-225
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 15 W
Gleichstromverstärkung min. = 40
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 100 V
Basis-Emitter Spannung max. = 7 V
Arbeitsfrequenz max. = 10 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. Universal-NPN-Transistoren, über 1 A, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 4 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 100 V | Gehäusegröße: | TO-225 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 15 W | Gleichstromverstärkung min.: | 40 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 100 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 7 V | Arbeitsfrequenz max.: | 10 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungstransistor, onsemi transistor, 1630961, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJE243G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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