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| Artikel-Nr.:
108EL-1630794 Herst.-Nr.:
NSS60200LT1G EAN/GTIN:
5059042425734 |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = –2 A
Kollektor-Emitter-Spannung = –60 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 540 mW
Gleichstromverstärkung min. = 150
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = –80 V
Basis-Emitter Spannung max. = –7 V
Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. Universal-PNP-Transistoren, über 1 A, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | –2 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | –60 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 540 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 150 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | –80 V | Basis-Emitter Spannung max.: | –7 V | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 1630794, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, NSS60200LT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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