|  |
| |
| Artikel-Nr.:
108EL-1526374 Herst.-Nr.:
SI4848DY-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040668768 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 150 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 95 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 4mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Halogenfrei Leistungs-MOSFETs TrenchFET® Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 2,7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 150 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 95 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 3 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 4mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 1526374, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI4848DYT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |