|  |
| |
| Artikel-Nr.:
108EL-1453572 Herst.-Nr.:
MJD50G EAN/GTIN:
5059042555189 |
| |
|
| | |
| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 1 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 400 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 15 W
Gleichstromverstärkung min. = 30
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 500 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 2 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 6.73 x 6.22 x 2.38mm
Hersteller-Teilenummern mit S als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 1 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 400 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 15 W | Gleichstromverstärkung min.: | 30 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 500 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 2 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 6.73 x 6.22 x 2.38mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 1453572, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJD50G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
| | |
| |