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Infineon IGBT-Modul / 440 A ±20V max., 1200 V 1450 W AG-62MM-1 N-Kanal


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     108EL-1116092
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FF300R12KE3HOSA1
EAN/GTIN:
     5059045547860
Suchbegriffe:
Germaniumdiode
IGBT
IGBT Module
Schalttransistor
Dauer-Kollektorstrom max. = 440 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 1450 W
Gehäusegröße = AG-62MM-1
Montage-Typ = Tafelmontage
Channel-Typ = N
Transistor-Konfiguration = Serie
Abmessungen = 106.4 x 61.4 x 30.9mm
Betriebstemperatur min. = –40 °C

IGBT-Module, Infineon. Die IGBT-Module von Infineon bieten einen niedrigen Schaltverlust beim Schalten mit Frequenzen von bis zu 60 kHz. Die IGBTs umspannen eine Reihe von Versorgungsmodulen wie die ECONOPACK-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V, PrimePACK-IGBT-Halbbrücken-Choppermodule mit NTC bis 1600/1700 V. Die PrimePACK-IGBTs werden in industriellen, kommerziellen, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeugen verwendet. Die N-Channel TRENCHSTOP ;sup>TM ;/sup>- und Fieldstop-IGBT-Module sind für hartes Schalten und weiches Schalten wie in Wechselrichtern, USV und industriellen Antrieben geeignet.. Gehäuseausführungen umfassen: 62-mm-Modul, EasyPack, EconoPACK ;sup>TM ;/sup>2/EconoPACK ;sup>TM ;/sup>3/EconoPACK ;sup>TM ;/sup>4
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
440 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
1450 W
Gehäusegröße:
AG-62MM-1
Montage-Typ:
Tafelmontage
Channel-Typ:
N
Transistor-Konfiguration:
Serie
Abmessungen:
106.4 x 61.4 x 30.9mm
Betriebstemperatur min.:
–40 °C
Weitere Suchbegriffe: Transistor, igbt infineon, igbt, 1116092, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FF300R12KE3HOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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