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Infineon CoolMOS E6 IPA60R190E6XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A 34 W, 3-Pin TO-220 FP

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Produktinformationen

Infineon CoolMOS E6 IPA60R190E6XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A 34 W, 3-Pin TO-220 FP

Artikel-Nr.:
108EL-1107172

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IPA60R190E6XKSA1

EAN/GTIN:
5059043412108

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
Leistungsfaktorkorrektur
MOSFET
MOSFET-Transistor

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-220 FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 440 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 34 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Länge = 10.65mm
Diodendurchschlagsspannung = 0.9V

Leistungs-MOSFET Infineon Serie CoolMOS™E6/P6. MOSFETs der Serie Infineon CoolMOS ;sup>™ ;/sup> E6 und P6. Diese äußerst effizienten Geräte können in verschiedenen Anwendungen wie der Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Beleuchtung und Verbrauchergeräten sowie für Solartechnik, Telekommunikation und Server verwendet werden.

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	20 A
Drain-Source-Spannung max.:	650 V
Gehäusegröße:	TO-220 FP
Montage-Typ:	THT
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	440 mΩ
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	3.5V
Gate-Schwellenspannung min.:	2.5V
Verlustleistung max.:	34 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-20 V, +20 V
Länge:	10.65mm
Diodendurchschlagsspannung:	0.9V

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Mosfet

Weitere Suchbegriffe: mosfet infineon, leistungs-mosfet, mosfet 20a, 1107172, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPA60R190E6XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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