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| Artikel-Nr.:
102-2809195-BP Herst.-Nr.:
BC817-25 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Diotec Transistor (BJT) - diskret BC817-25 SOT-23 NPN
BJT, SOT-23, 45V, 800mA, NPN
Technische Daten:
Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 45 V · Leistung (max) P(TOT): 0.31 W · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 50 MHz · VCE Sättigung (max.): 700 mV · Weitere technische Daten: Typ: SMD
Gehäuse: SOT-23
Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 45 V
DC Kollektorstrom - IC: 800 mA
Polarität - pol: NPN
Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
Verlustleistung - Ptot: 0.310 W
Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 250
VCE: 1 V
IC: 100 mA
Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 700 mV
IC: 500 mA
IB: 50 mA
Transitfrequenz - ft: 100 MHz
IC: 10 mA
VCE: 5 V
f: 50 MHz
Weitere Informationen: | | Inhalt: | 1 St. | Hersteller: | Diotec | Marke: | Diotec | Gehäuseart (Halbleiter): | SOT-23 | Ausführung (Transistoren): | NPN | Typ (Hersteller-Typ): | BC817-25 | Montageart: | Oberflächenmontage | Kollektor-Emitterspannung U(CEO): | 45 V | Collector-Strom I(C): | 800 mA | DC Stromverstärkung (hFE): | 250 | Betriebstemperatur (max.): | 150 °C | Leistung (max) P(TOT): | 0.31 W | Transitfrequenz f(T): | 50 MHz | VCE Sättigung (max.): | 700 mV | RoHS-konform: | Ja | Produkt-Art: | Transistor (BJT) - diskret |
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