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Infineon Technologies IRLU024NPBF MOSFET 1 HEXFET 45 W I-PAK


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
Produktabbildung
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Artikel-Nr.:
     102-162856-BP
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRLU024NPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Infineon Technologies IRLU024NPBF MOSFET 1 HEXFET 45 W I-PAK

HEXFET/FETKY

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 55 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): HEXFET · Betriebstemperatur (max.): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 480 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): I-PAK · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 17 A · Leistung (max) P(TOT): 45 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 15 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 5 V · R(DS)(on): 65 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 10 A · Serie (Halbleiter): HEXFET® · Transistor-Merkmal: Logic Level Gate · U(DSS): 55 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 2 V

Weitere Informationen:
Inhalt:
1 St.
Hersteller:
Infineon Technologies
Anzahl Kanäle:
1
Marke:
Infineon Technologies
Gehäuseart (Halbleiter):
I-PAK
Ausführung (Transistoren):
HEXFET
Serie (Halbleiter):
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Logic Level Gate
Hersteller-Kürzel (Bauelemente):
INF
Typ (Hersteller-Typ):
IRLU024NPBF
Montageart:
Durchführungsloch
C(ISS):
480 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
I(d):
17 A
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Betriebstemperatur (min.) (num):
-55 °C
Leistung (max) P(TOT):
45 W
Q(G):
15 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
5 V
R(DS)(on):
65 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
10 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
U(DSS):
55 V
U(GS)(th) max.:
2 V
Abbruchspannung U(BR) (DSS):
55 V
Produkt-Art:
MOSFET
Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, feldeffekttransistor, Infineon Technologies, IRLU024NPBF, 543-0591, International Rectifier
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