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Vishay IRF830PBF MOSFET 1 N-Kanal 74 W TO-220AB


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktabbildung
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Artikel-Nr.:
     102-162522-BP
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     IRF830PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Vishay IRF830PBF MOSFET 1 N-Kanal 74 W TO-220AB

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 500 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 610 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): VIS · I(d): 4.5 A · Leistung (max) P(TOT): 74 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 38 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 1.5 Ω · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 2.7 A · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 500 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V

Weitere Informationen:
Inhalt:
1 St.
Hersteller:
Vishay
Anzahl Kanäle:
1
Marke:
Vishay
Gehäuseart (Halbleiter):
TO-220AB
Ausführung (Transistoren):
N-Kanal
Transistor-Merkmal:
Standard
Hersteller-Kürzel (Bauelemente):
VIS
Typ (Hersteller-Typ):
IRF830PBF
Montageart:
Durchführungsloch
C(ISS):
610 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
I(d):
4.5 A
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Betriebstemperatur (min.) (num):
-55 °C
Leistung (max) P(TOT):
74 W
Q(G):
38 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
R(DS)(on):
1.5 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom:
2.7 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
U(DSS):
500 V
U(GS)(th) max.:
4 V
Abbruchspannung U(BR) (DSS):
500 V
Produkt-Art:
MOSFET
Weitere Suchbegriffe: mosfet, Vishay, IRF830PBF, IRF830IR-ND, FET
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