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Infineon Technologies IRLML9303TRPBF MOSFET 1 P-Kanal 1.25 W SOT-23


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     102-161195-BP
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRLML9303TRPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Diode
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Infineon Technologies IRLML9303TRPBF MOSFET 1 P-Kanal 1.25 W SOT-23

Transistor unipolar (MOSFET)

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 30 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): P-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 160 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 2.3 A · Leistung (max) P(TOT): 1.25 W · Montageart: Oberflächenmontage · Q(G): 2 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 4.5 V · R(DS)(on): 165 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 2.3 A · Serie (Halbleiter): HEXFET® · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 30 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 10 µA · U(GS)(th) max.: 2.4 V

Weitere Informationen:
Inhalt:
1 St.
Hersteller:
Infineon Technologies
Anzahl Kanäle:
1
Marke:
Infineon Technologies
Gehäuseart (Halbleiter):
SOT-23
Ausführung (Transistoren):
P-Kanal
Serie (Halbleiter):
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
Hersteller-Kürzel (Bauelemente):
INF
Typ (Hersteller-Typ):
IRLML9303TRPBF
Montageart:
Oberflächenmontage
C(ISS):
160 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
I(d):
2.3 A
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Betriebstemperatur (min.) (num):
-55 °C
Leistung (max) P(TOT):
1.25 W
Q(G):
2 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
4.5 V
R(DS)(on):
165 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
2.3 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
10 µA
U(DSS):
30 V
U(GS)(th) max.:
2.4 V
Abbruchspannung U(BR) (DSS):
30 V
Produkt-Art:
MOSFET
Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, Infineon Technologies, IRLML9303TRPBF, 725-9369, International Rectifier
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