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Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung BCR133 TO-236-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - vorgespannt Tape cut


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     102-153054-BP
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     BCR133
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Digitaltransistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung BCR133 TO-236-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - vorgespannt Tape cut

NF-Transistor

NPN-Digital-Transistor

Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-236-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · Kollektor Reststrom I(CES): 100 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 50 V · Leistung (max) P(TOT): 200 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 130 MHz · VCE Sättigung (max.): 300 mV · Verpackungsart (Bauteile): Tape cut · Widerstand R(1): 10 kΩ · Widerstand R(2): 10 kΩ

Weitere Informationen:
Inhalt:
1 St.
Hersteller:
Infineon Technologies
Anzahl Kanäle:
1
Marke:
Infineon Technologies
Verpackungsart (Bauteile):
Tape cut
Gehäuseart (Halbleiter):
TO-236-3
Ausführung (Transistoren):
NPN - vorgespannt
Hersteller-Kürzel (Bauelemente):
INF
Typ (Hersteller-Typ):
BCR133
Montageart:
Oberflächenmontage
Kollektor Reststrom I(CES):
100 nA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO):
50 V
Collector-Strom I(C):
100 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom:
5 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung:
5 V
DC Stromverstärkung (hFE):
30
Leistung (max) P(TOT):
200 mW
Widerstand R(1):
10 kΩ
Widerstand R(2):
10 kΩ
Transitfrequenz f(T):
130 MHz
VCE Sättigung (max.):
300 mV
Produkt-Art:
Transistor (BJT) - diskret|ツ| Vorspannung
Weitere Suchbegriffe: smd-transistor npn, smd transistor, transistor infineon, Infineon Technologies, BCR133, 825-9288, BCR133INCT-ND
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Warenzustand:unbenutzt
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