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Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BC857B SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 PNP Tape cut


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     102-153014-BP
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     BC857B
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
smd-transistor pnp
Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BC857B SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 PNP Tape cut

NF-Transistor

PNP-Transistor

Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 220 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · Kollektor Reststrom I(CES): -15 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -45 V · Leistung (max) P(TOT): 330 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 250 MHz · VCE Sättigung (max.): -650 mV · Verpackungsart (Bauteile): Tape cut

Weitere Informationen:
Inhalt:
1 St.
Hersteller:
Infineon Technologies
Anzahl Kanäle:
1
Marke:
Infineon Technologies
Verpackungsart (Bauteile):
Tape cut
Gehäuseart (Halbleiter):
SOT-23-3
Ausführung (Transistoren):
PNP
Hersteller-Kürzel (Bauelemente):
INF
Typ (Hersteller-Typ):
BC857B
Montageart:
Oberflächenmontage
Kollektor Reststrom I(CES):
-15 nA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO):
-45 V
Collector-Strom I(C):
-100 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom:
-2 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung:
-5 V
DC Stromverstärkung (hFE):
220
Leistung (max) P(TOT):
330 mW
Transitfrequenz f(T):
250 MHz
VCE Sättigung (max.):
-650 mV
Produkt-Art:
Transistor (BJT) - diskret
Weitere Suchbegriffe: smd transistor, transistor infineon, Infineon Technologies, BC857B, 445-2051
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Warenzustand:unbenutzt
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