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ON Semiconductor 2N7000TA MOSFET 1 N-Kanal 400 mW TO-92-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     102-1262890-BP
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     2N7000TA
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
ON Semiconductor 2N7000TA MOSFET 1 N-Kanal 400 mW TO-92-3

MOSFET

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 60 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 50 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · I(d): 200 mA · Leistung (max) P(TOT): 400 mW · Montageart: Durchführungsloch · R(DS)(on): 5 Ω · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 500 mA · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 60 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 1 mA · U(GS)(th) max.: 3 V

Weitere Informationen:
Inhalt:
1 St.
Hersteller:
ON Semiconductor
Anzahl Kanäle:
1
Marke:
ON Semiconductor
Gehäuseart (Halbleiter):
TO-92-3
Ausführung (Transistoren):
N-Kanal
Transistor-Merkmal:
Standard
Hersteller-Kürzel (Bauelemente):
OnS
Typ (Hersteller-Typ):
2N7000TA
Montageart:
Durchführungsloch
C(ISS):
50 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
I(d):
200 mA
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Betriebstemperatur (min.) (num):
-55 °C
Leistung (max) P(TOT):
400 mW
R(DS)(on):
5 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom:
500 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
1 mA
U(DSS):
60 V
U(GS)(th) max.:
3 V
Abbruchspannung U(BR) (DSS):
60 V
Produkt-Art:
MOSFET
Weitere Suchbegriffe: mosfet, ON Semiconductor, 2N7000TA, 739-0224, 2N7000TACT-ND
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