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  transistor 300v  (124 gefilterte Angebote unter 29.297.755 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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Bipolarer Transistor 500mA NPN 300V TO-92 (4 Angebote) 
Bipolarer Transistor, Typ=MPSA42, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=900 mV, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=6 V, Gleic...
Diotec
MPSA42
ab € 0,0449*
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Bipolarer Transistor 500mA PNP 300V TO-92 (4 Angebote) 
Bipolarer Transistor, Typ=MPSA92, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=900 mV, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleic...
Diotec
MPSA92
ab € 0,0512*
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MULTICOMP PRO TIP150 DARLINGTON-TRANSISTOR, TO-220 (1 Angebot) 
Wandlerpolarität: NPN Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300 V Produktpalette: - DC-Stromverstärkung hFE: 150 hFE Betriebstemperatur, max.: 150 °C DC-Kollektorstrom: 7 A Anzahl der Pins: 3 Pin(s)...
Multicomp
TIP150
ab € 0,665*
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Microchip DN2530 DN2530N3-G N-Kanal, THT MOSFET Transistor 300 V / 170 mA, 3-Pin TO-92 (4 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 170 mA Drain-Source-Spannung max. = 300 V Serie = DN2530 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 12 Ω Channel-Modus = Depletion Anzahl...
Microchip Technology
DN2530N3-G
ab € 0,5065*
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STMicroelectronics MJE340 THT, NPN Transistor 300 V / 500 mA, SOT-32 3-Pin (5 Angebote) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 500 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 300 V Gehäusegröße = SOT-32 Montage-Typ = THT Verlustleistung max. = 2,8 W Gleichstromverstärkung min. = 30 Transis...
ST Microelectronics
MJE340
ab € 0,229*
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Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret SMBTA92 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 PNP (3 Angebote) 
PNP-Hochvolt-Transistor PNP-Hochvolt-Transistor (8 mm-Gurt). Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 25 · DC...
Infineon
SMBTA92
ab € 0,0574*
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Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBTA42-AQ SOT-23 NPN (1 Angebot) 
Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBTA42-AQ SOT-23 NPN BJT, SOT-23, 300V, 500mA, NPN Technische Daten: Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 20...
Diotec
MMBTA42-AQ
ab € 0,0406*
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE350 TO-225AA Anzahl Kanäle 1 PNP (2 Angebote) 
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE350 TO-225AA Anzahl Kanäle 1 PNP Typ: MJE350 Gehäuse: TO-225AA Hersteller: ON Semiconductor Herst.-Abk.: OnS Kategorie: Transistor (BJT) - diskret Kan...
onsemi
MJE350
ab € 0,96*
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TRU COMPONENTS Transistor (BJT) - diskret TC-MPSA42 TO-92 Anzahl Kanäle 1 NPN (3 Angebote) 
TRU COMPONENTS Transistor (BJT) - diskret TC-MPSA42 TO-92 Anzahl Kanäle 1 NPN Transistor (BJT) - diskret Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): ...
TRU Components
1582020
ab € 0,0409*
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TRU COMPONENTS Transistor (BJT) - diskret TC-MPSA92 TO-92 Anzahl Kanäle 1 PNP (3 Angebote) 
TRU COMPONENTS Transistor (BJT) - diskret TC-MPSA92 TO-92 Anzahl Kanäle 1 PNP Transistor (BJT) - diskret Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): ...
TRU Components
1582021
ab € 0,0409*
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Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 102A; Idm: 440A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 102A Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 570W ...
IXYS
MMIX1F160N30T
ab € 33,57*
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Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 160A; 1390W; TO264 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO264 Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 160A Widerstand im Leitungszustand: 19mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1390...
IXYS
IXFK160N30T
ab € 12,25*
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Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 210A; 1890W; 250ns (4 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: PLUS264™ Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 210A Widerstand im Leitungszustand: 14,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung:...
IXYS
IXFB210N30P3
ab € 20,27*
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Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO3P (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO3P Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 36A Widerstand im Leitungszustand: 0,11Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300W ...
IXYS
IXTQ36N30P
ab € 2,64*
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Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 108A; Idm: 550A; 520W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 108A Widerstand im Leitungszustand: 16mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 520W ...
IXYS
MMIX1F210N30P3
ab € 35,67*
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