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  SMD-Transistor  (11.563 Angebote unter 29.297.522 Artikeln)

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"SMD-Transistor"

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Nexperia PDTA114EQB-QZ SMD, PNP Digitaler Transistor 3 -50 V / -100 mA, DFN1110D-3 (2 Angebote) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = DFN1110D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTA114EQB-QZ
ab € 0,029*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 5A; Idm: 28A; 335W; D3PAK (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 5A Widerstand im Leitungszustand: 2,4Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 335W Polarisi...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT7F120S
ab € 8,52*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTA124XQBZ SMD, PNP Digitaler Transistor 3 -50 V / -100 mA, DFN1110D-3 (2 Angebote) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = DFN1110D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTA124XQBZ
ab € 0,0234*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; unipolar; 100V; 2,4A; 1,5W (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: SOT23-6 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 2,4A Widerstand im Leitungszustand: 0,14Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,5W Polaris...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJS03N10A
ab € 0,29*
pro 5 Stück
 
 Packungen
Nexperia PDTA114YQBZ SMD, PNP Digitaler Transistor 3 -50 V / -100 mA, DFN1110D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = DFN1110D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTA114YQBZ
ab € 0,0408*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 2A; Idm: 9A; 2W (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 2A Widerstand im Leitungszustand: 0,325Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2W Polarisierung: unipolar V...
Vishay
SQ2308CES-T1_GE3
ab € 0,143*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTA143XQB-QZ SMD, PNP Digitaler Transistor 3 -50 V / -100 mA, DFN1110D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = DFN1110D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTA143XQB-QZ
ab € 0,0408*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,17A; 0,36W; SOT23 (8 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 0,17A Widerstand im Leitungszustand: 12Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,36W Polarisierung: unipol...
onsemi
BSS123
ab € 0,0407*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTA114EQC-QZ SMD, PNP Digitaler Transistor 3 -50 V / -100 mA, DFN1412D-3 (2 Angebote) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = DFN1412D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTA114EQC-QZ
ab € 0,0366*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 9A; Idm: 50A; 625W; D3PAK (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 9A Widerstand im Leitungszustand: 1,2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 625W Polarisi...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT13F120S
ab € 14,07*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTA124XQCZ SMD, PNP Digitaler Transistor 3 -50 V / -100 mA, DFN1412D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = DFN1412D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTA124XQCZ
ab € 152,90*
pro 5.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 2,9A; 1W (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 2,9A Widerstand im Leitungszustand: 52mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1W Polarisierung...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL2304A
ab € 0,206*
pro 10 Stück
 
 Packungen
Nexperia PDTA114YQCZ SMD, PNP Digitaler Transistor 3 -50 V / -100 mA, DFN1412D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = DFN1412D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTA114YQCZ
ab € 0,0408*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO252 Bereitschaftszeit: 900ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 1A Widerstand im Leitungszustand: 20Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 63W Po...
IXYS
IXTY1N120P
ab € 1,74*
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 Stück
Nexperia PDTA143XQC-QZ SMD, PNP Digitaler Transistor 3 -50 V / -100 mA, DFN1412D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = DFN1412D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTA143XQC-QZ
ab € 0,051*
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