Kategorien
Deutschland
Deutsch
Mein Mercateo
Anmelden / Registrieren		Warenkorb
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (25.860 Angebote unter 29.255.724 Artikeln)Zum Expertenwissen

Folgende Filter helfen, die Artikelliste für die Suche „MOSFET“ nach Ihren Wünschen zu verfeinern:
Filtern: Preis vonbis€  Wort 
Funktionen
☐
Übersicht

"MOSFET"

Überbegriffe
Anzeige
☐
☐
☐
☐
Bild
Artikel ^v
Hersteller/-Nr. ^v
Preis ^v
Bestellen
zurück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO263; 390ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 390ns Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 24A Widerstand im Leitungszustand: 0,145Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 390...
IXYS
IXTA24N65X2
ab € 2,71*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10,6A; 83W; PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 10,6A Widerstand im Leitungszustand: 0,38Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W P...
Infineon
IPD65R380C6BTMA1
ab € 0,82*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics ST STWA67N60M6 N-Kanal, THT MOSFET-Modul 600 V / 52 A, 3-Pin TO-247 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 52 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Serie = ST Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,045 Ω Channel-Modus = Depletion Gate-Schw...
ST Microelectronics
STWA67N60M6
ab € 4,71*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8,3A; 83,3W; PG-VSON-4 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-VSON-4 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 8,3A Widerstand im Leitungszustand: 0,46Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83,3W P...
Infineon
IPL65R460CFDAUMA1
ab € 1,09*
pro Stück
 
 Stück
Texas Instruments CSD17308Q3T N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14 A VSON-CLIP (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 14 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = VSON-CLIP Montage-Typ = SMD
Texas Instruments
CSD17308Q3T
ab € 0,41*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics STB11NM80T4 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 11 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 11 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 400 mΩ Channel-Modus = E...
ST Microelectronics
STB11NM80T4
ab € 3.659,20*
pro 1.000 Stück
 
 Packung
Infineon IPP65R420CFD Transistor 600 V (1 Angebot)
Infineon
IPP65R420CFDXKSA1
ab € 0,91*
pro Stück
 
 Stück
Texas Instruments CSD17483F4T N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,5 A PICOSTAR (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 1,5 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PICOSTAR Montage-Typ = SMD
Texas Instruments
CSD17483F4T
ab € 0,32*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPA65R065C7 Transistor 650 V (1 Angebot)
Infineon
IPA65R065C7XKSA1
ab € 7,27*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 26A Widerstand im Leitungszustand: 0,13Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 460W Polarisierung: unipola...
IXYS
IXFH26N65X2
ab € 7,01*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27,5W; TO220F (1 Angebot) 
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Montage: THT Gehäuse: TO220F Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 10A Widerstand im Leitungszustand: 0,63Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 27,5W Polarisi...
LUGUANG ELECTRONIC
10N65
ab € 0,33*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics STB18N60M6 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor / 13 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 13 A Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 280 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung m...
ST Microelectronics
STB18N60M6
ab € 1.126,35*
pro 1.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16,1A; 208W; PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 16,1A Widerstand im Leitungszustand: 0,25Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 208W ...
Infineon
IPD65R250E6XTMA1
ab € 1,34*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics SCTH40N SCTH40N120G2V-7, SMD MOSFET 1200 V / 33 A, 7-Pin H2PAK-7 (2 Angebote) 
Dauer-Drainstrom max. = 33 A Drain-Source-Spannung max. = 1200 V Serie = SCTH40N Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Drain-Source-Widerstand max. = 0,105 O Gate-Schwellenspannung max. = 5V Anzahl der E...
ST Microelectronics
SCTH40N120G2V-7
ab € 11,10*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252 (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 2A Widerstand im Leitungszustand: 4,7Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 44W Polarisierung...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJ2N65CP
ab € 0,0851*
pro Stück
 
 Stück
vorwärts
Artikel pro Seite: 10   15   20   50   100    Seite: zurück   1   ..   1281   1282   1283   1284   1285   1286   1287   1288   1289   1290   1291   ..   1724   vorwärts
Weitere Informationen zum Thema MOSFET
^

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.