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"MOSFET"

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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 46A; Idm: 105A; 323W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 46A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 323W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC040SMA120B
ab € 21,22*
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Infineon CoolMOS IPP80R1K4P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4 A, 3-Pin TO-220 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,14 Ω Channel-Modus = Enhancemen...
Infineon
IPP80R1K4P7XKSA1
ab € 0,63*
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NEXPERIA PSMN1R1-30PL,127 MOSFET, N-KANAL, 30V, 120A, TO-220AB (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 120 ...
Nexperia
PSMN1R1-30PL,127
ab € 1,77*
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Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 56A; Idm: 224A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 56A Widerstand im Leitungszustand: 45mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300W Polarisi...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M45SVRG
ab € 11,44*
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Infineon CoolMOS P7 IPA70R360P7SXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 12,5 A, 3-Pin TO-220 FP (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 12,5 A Drain-Source-Spannung max. = 700 V Gehäusegröße = TO-220 FP Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,36 O Channel-Modus = Enha...
Infineon
IPA70R360P7SXKSA1
ab € 0,79*
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NEXPERIA PSMN6R5-80BS,118 MOSFET, N-KANAL, 80V, 100A, TO-263 (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal ...
Nexperia
PSMN6R5-80BS,118
ab € 1,17*
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Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 600V; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 600V Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Technologie: POWER MOS 5® Kanal-Art: stark
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6040BVFRG
ab € 22,70*
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Wolfspeed C3M0075120J N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 30 A 113,6 W, 7-Pin TO-263-7 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 30 A Drain-Source-Spannung max. = 1200 V Gehäusegröße = TO-263-7 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Drain-Source-Widerstand max. = 75 mΩ Channel-Modus = Enhance...
Wolfspeed
C3M0075120J
ab € 11,13*
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NEXPERIA PSMN7R6-100BSEJ MOSFET, N-KANAL, 100V, 75A, TO-263 (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal ...
Nexperia
PSMN7R6-100BSEJ
ab € 1,39*
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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 55A; 262W; TO247 (1 Angebot) 
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 55A Widerstand im Leitungszustand: 40mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 262W Polarisier...
ROHM Semiconductor
SCT3040KLGC11
ab € 36,87*
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Infineon CoolMOS IPS60R1K0CEAKMA1 N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 6,8 A, 3-Pin IPAK (TO-251) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 6,8 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = IPAK (TO-251) Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 1 O Channel-Modus = Enha...
Infineon
IPS60R1K0CEAKMA1
ab € 0,40*
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NEXPERIA PSMN2R8-80BS,118 MOSFET, N-KANAL, 80V, 120A, TO-263 (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal...
Nexperia
PSMN2R8-80BS,118
ab € 1,74*
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Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 300V; 40A; Idm: 160A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 85mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300W Polari...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT30M85BVRG
ab € 10,72*
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Infineon CoolMOS P7 IPA80R600P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 8 A, 3-Pin TO-220 FP (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = TO-220 FP Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,6 Ω Channel-Modus = Enhancem...
Infineon
IPA80R600P7XKSA1
ab € 1,15*
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NEXPERIA PSMN7R8-100PSEQ MOSFET (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal D...
Nexperia
PSMN7R8-100PSEQ
ab € 1,70*
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