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"IGBT"

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INFINEON IRS2184STRPBF MOSFET/IGBT-TREIBER, HALBBRÜCKE, SOIC-8 (3 Angebote) 
Quellstrom: 1.9 A Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Produktpalette: - Eingang: Nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 20 V MSL: MSL 2 - 1 Jahr Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Sinkstrom: 2.3 A Treibe...
Infineon
IRS2184STRPBF
ab € 0,76*
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Infineon 1ED020I12-B2, 1ED020I12-F2 Evaluierungsplatine, EVAL-1ED020I12-B2 IGBT-Gate-Ansteuerung (1 Angebot) 
Funktion für Stromüberwachungseinheiten = IGBT-Gate-Ansteuerung Zum Einsatz mit = Motorsteuerungs- und Amp;-Antriebe, Netzteile Kit-Klassifizierung = Evaluierungsplatine Vorgestelltes Gerät = 1ED02...
Infineon
EVAL1ED020I12B2TOBO1
ab € 93,88*
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NXP FRDMGD3100HBIEVM EVAL.BOARD HALBBRÜCKE, IGBT-GATE-TREIBER (1 Angebot) 
Produktpalette: - Prozessorhersteller: NXP Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard GD3100, Logik-Wandlerplatine KITGD3100TREVB mit FRDM-KL25Z, 0.91m lange USB-...
NXP
FRDMGD3100HBIEVM
ab € 344,10*
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IC: driver; IGBT Halbbrücke,MOSFET Halbbrücke; DIP8; -1,5÷1,5A (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Betriebstemperatur: -40...125°C Gehäuse: DIP8 Leistung: 1W Versorgungsspannung: 6...20V DC Anschaltzeit: 85ns Ausschaltzeit: 65ns Ausgangsstrom: -1,5....
Infineon
IR4427PBF
ab € 1,19*
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Infineon IGBT / 100 A 20V max., 1200 V 20 mW (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW
Infineon
FP100R12N2T7B11BPSA1
ab € 108,86*
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IC: driver; IGBT Halbbrücke,MOSFET Halbbrücke; SO8; -500÷250mA (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Gehäuse: SO8 Versorgungsspannung: 10...20V DC Ausgangsstrom: -500...250mA Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Impulsanstiegszeit: ...
onsemi
NCP5109ADR2G
ab € 0,41*
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Broadcom HCPL THT Dual Optokoppler DC-In / IGBT-Gate-Treiber, MOSFET-Out, 8-Pin DIP, Isolation 3,75 kV eff (2 Angebote) 
Montage Typ = THT Ausgangsschaltung = IGBT-Gate-Treiber, MOSFET Durchlassspannung max. = 1.8V Anzahl der Kanäle = 2 Anzahl der Pins = 8 Gehäusetyp = DIP Eingangsstrom Typ = DC Regelanstiegszeit = 5...
Broadcom
HCPL-J314-000E
ab € 1,33*
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ROHM RGCL80TS60GC11 IGBT, 600V, 65A, 175DEG C, 148W (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 V Bauform - Transistor: TO-247N Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4 V Kontinui...
ROHM Semiconductor
RGCL80TS60GC11
ab € 1,87*
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IC: driver; IGBT Halbbrücke; high-/low-side,Steuerung für Gates (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Gehäuse: SSOP24 Leistung: 1,5W Versorgungsspannung: 10,4...20V DC Anschaltzeit: 440ns Ausschaltzeit: 440ns Ausgangsstr...
Infineon
IR2114SSPBF
ab € 4,29*
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Infineon IGBT / 10 A +/-20V max. , 600 V 28 W, 3-Pin PG-TO220-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Verlustleistung max. = 28 W Gehäusegröße = PG-TO220-3 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3
Infineon
IKA06N60TXKSA1
ab € 0,65*
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STMICROELECTRONICS STGW25S120DF3 IGBT, EINFACH, 1.2KV, 50A, TO-247-3 (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Bauform - Transistor: TO-247 Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 V Kontinuierlicher Kollekto...
ST Microelectronics
STGW25S120DF3
ab € 5,79*
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IC: driver; IGBT Halbbrücke,MOSFET Halbbrücke; SO16-W; -5÷2,5A (1 Angebot) 
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Gehäuse: SO16-W Versorgungsspannung: 15...30V DC Ausgangsstrom: -5...2,5A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Impulsans...
Texas Instruments
ISO5852SDW
ab € 4,49*
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Infineon 1EDS20I12SV Evaluierungsplatine, EVAL-1EDS20I12SV IGBT-Gate-Ansteuerung (2 Angebote) 
Funktion für Stromüberwachungseinheiten = IGBT-Gate-Ansteuerung Zum Einsatz mit = DC/DC-Wandler, Antriebe, USV, Schweißen Kit-Klassifizierung = Evaluierungsplatine Vorgestelltes Gerät = 1EDS20I12SV...
Infineon
EVAL1EDS20I12SVTOBO2
ab € 187,44*
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STMICROELECTRONICS STGD10HF60KD TRANSISTOR, IGBT, 600V, 18A, TO-252 (2 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 V Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Betriebstemperatur, max.: 150 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5 V Ko...
ST Microelectronics
STGD10HF60KD
ab € 1,06*
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IC: driver; IGBT Halbbrücke,MOSFET Halbbrücke; SO16-W; -5÷2,5A (1 Angebot) 
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Gehäuse: SO16-W Versorgungsspannung: 15...30V DC Ausgangsstrom: -5...2,5A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Impulsans...
Texas Instruments
ISO5851DW
ab € 4,94*
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