IGBT  (2.824 Angebote unter 29.297.191 Artikeln)Zum Expertenwissen

Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 450 W Gehäusegröße = SOT-227B Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanza...

Produktpalette: Trench MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 V Kontinuierlicher Koll...

IGBT, IXGH32N120A3, LITTELFUSE PT-IGBT mit extrem niedrigem Vsat-Wert für Schaltvorgänge bis zu 3 kHz in einem internationalen Standardgehäuse, optimiert für niedrige Leitungsverluste und mit Vorte...

Dauer-Kollektorstrom max. = 32 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = TO-247AD Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguratio...

Quellstrom: 200 mA Leistungsschalter: IGBT Produktpalette: - Eingang: Nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 20 V MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Pins: 28 Pin(s) Sinkstrom: 350 mA Treibe...

IGBT, IXGA30N120B3, LITTELFUSE Hochgeschwindigkeits-PT-IGBTs mit niedrigem Vsat-Wert, die mit 3-20 kHz schalten, optimiert für niedrige Leitungs- und Schaltverluste und mit Vorteilen wie hoher Leis...

Dauer-Kollektorstrom max. = 6 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = TO-247AD Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration...

Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: TO-252AA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5 V Kontin...

IGBT, IXYK120N120B3, Littelfuse Hochgeschwindigkeits-IGBT für das Schalten von 10-30 kHz mit hoher Leistungsdichte und geringem Gate-Ansteuerungsbedarf. Features * Quadratischer RBSOA * Positiver W...

Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 180 W Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...

Quellstrom: 4 A Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Produktpalette: - Eingang: - Versorgungsspannung, max.: 20 V MSL: - Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Sinkstrom: 4 A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-...

IGBT, IXYX120N120B3, Littelfuse Hochgeschwindigkeits-IGBT für das Schalten von 10-30 kHz mit hoher Leistungsdichte und geringem Gate-Ansteuerungsbedarf. Features * Quadratischer RBSOA * Avalanche-t...

Dauer-Kollektorstrom max. = 105 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 500 W Gehäusegröße = SOT-227B Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanza...

Quellstrom: 1 A Leistungsschalter: IGBT Produktpalette: - Eingang: Invertierend Versorgungsspannung, max.: 15 V MSL: - Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Sinkstrom: 2 A Treiberkonfiguration: Low-Side IC-Geh...

IGBT, IXGP20N120B3, LITTELFUSE Hochgeschwindigkeits-PT-IGBTs mit niedrigem Vsat-Wert, die mit 3-20 kHz schalten, optimiert für niedrige Leitungs- und Schaltverluste und mit Vorteilen wie hoher Leis...