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  IGBT  (2.512 Angebote unter 27.646.597 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"IGBT"

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IXYS IGBT / 165 A ±20V max., 1200 V 690 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 165 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 690 W Gehäusegröße = SOT-227B Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanza...
IXYS
IXYN100N120B3H1
ab € 29,08*
pro Stück
 
 Stück
IXYS SEMICONDUCTOR IXGA30N120B3 IGBT, 1200V, 30A, TO-263 (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5 V ...
IXYS
IXGA30N120B3
ab € 4,64*
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 Stück
IXYS IGBT / 50 A, 1200 V, 3-Pin TO-268 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gehäusegröße = TO-268 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Einfach Abmessungen = 16.05 x 14 x 5.1mm Betrie...
IXYS
IXGT30N120B3D1
ab € 9,17*
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ONSEMI HGT1S10N120BNST IGBT, EINFACH, 1.2KV, 35A, TO-263AB-3 (2 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: TO-263AB Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45 V Konti...
onsemi
HGT1S10N120BNST
ab € 1,85*
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IXYS IGBT / 40 A ±20V max., 1200 V 278 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 278 W Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
IXYS
IXYP20N120C3
ab € 3,56*
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IXYS SEMICONDUCTOR IXYH40N65C3H1 IGBT, EINFACH, 650V, 40A, TO-247 (2 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Bauform - Transistor: TO-247 Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35 V Kontinuierlicher Kollekto...
IXYS
IXYH40N65C3H1
ab € 5,95*
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STMicroelectronics IGBT / 25 A ±16V max., 425 V 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 25 A Kollektor-Emitter-Spannung = 425 V Gate-Source Spannung max. = ±16V Verlustleistung max. = 125 W Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pina...
ST Microelectronics
STGD19N40LZ
ab € 1,33*
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 Stück
IXYS IGBT / 188 A ±20V max., 1200 V 1150 W, 3-Pin TO-264 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 188 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 1150 W Gehäusegröße = TO-264 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzah...
IXYS
IXYK100N120C3
ab € 21,27*
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 Stück
IXYS SEMICONDUCTOR IXYH82N120C3 IGBT, EINFACH, 1.2KV, 82A, TO-247AD (4 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-247AD Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2 V Kontinuierlicher Kollek...
IXYS
IXYH82N120C3
ab € 12,06*
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 Stück
IXYS IGBT / 64 A ±20V max., 1200 V 480 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 64 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 480 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
IXYS
IXYH40N120C3D1
ab € 10,69*
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 Stück
ONSEMI NGTB25N120FL3WG IGBT, EINFACH, 1.2KV, 100A, TO-247-3 (2 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Bauform - Transistor: TO-247 Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 V Kontinui...
onsemi
NGTB25N120FL3WG
ab € 3,33*
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 Stück
IXYS IGBT / 70 A ±20V max., 900 V 500 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 70 A Kollektor-Emitter-Spannung = 900 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 500 W Gehäusegröße = SOT-227B Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = N ...
IXYS
IXYN80N90C3H1
ab € 35,75*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics IGBT / 25 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-220 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 25 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration =...
ST Microelectronics
STGP7NC60HD
ab € 1,36*
pro 2 Stück
 
 Packung
IXYS IGBT / 20 A ±20V max., 1200 V 85 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 85 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...
IXYS
IXA12IF1200HB
ab € 8,89*
pro 2 Stück
 
 Packung
MOSFET/IGBT-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung (1 Angebot) 
Quellstrom: 250 mA Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Produktpalette: - Eingang: Nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 20 V MSL: - Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Sinkstrom: 500 mA Treiberkonfigurat...
onsemi
NCP5304DR2G
ab € 0,772*
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