Transistor  (12.676 Angebote unter 27.677.232 Artikeln)Zum Expertenwissen

Quellstrom: - Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET Produktpalette: - Eingang: - Versorgungsspannung, max.: 15 V MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: ...

Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 298 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pi...

IGBT, IXGA30N120B3, LITTELFUSE Hochgeschwindigkeits-PT-IGBTs mit niedrigem Vsat-Wert, die mit 3-20 kHz schalten, optimiert für niedrige Leitungs- und Schaltverluste und mit Vorteilen wie hoher Leis...

Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05 V Kontinuierlicher Kollekto...

Dauer-Kollektorstrom max. = 280 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 300 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...

IGBT, IXGA20N250HV, LITTELFUSE Ein Hochspannungs-IGBT mit hoher Spitzenstromfähigkeit, einem elektrisch isolierten Tab und einer niedrigen Sättigungsspannung. Features * Internationales Standardgeh...

Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75 V Kontinuierlicher Kolle...

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 8 A Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = TP-FA Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 15 W Gleichstromverstärkung min. = 200 Transistor-K...

IGBT, IXGF20N300, LITTELFUSE Ein Hochspannungs-IGBT mit hoher Spitzenstromfähigkeit, einem elektrisch isolierten Tab und einer niedrigen Sättigungsspannung. Features * Siliziumchip auf Direct-Coppe...

Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: Module Dauer-Kollektorstrom: 520 A IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sä...

Dauer-Kollektorstrom max. = 88 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 290 W Gehäusegröße = SOT-227B Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzah...

IGBT, IXGA48N60A3, LITTELFUSE PT-IGBT mit extrem niedrigem Vsat-Wert für Schaltvorgänge bis zu 5 kHz in einem internationalen Standardgehäuse, optimiert für niedrige Leitungsverluste und mit Vortei...

Produktpalette: EconoPACK 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: Module Dauer-Kollektorstrom: 100 A IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollek...

Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 290 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...

IGBT, IXGF32N170, LITTELFUSE Ein Hochspannungs-IGBT mit hoher Spitzenstromfähigkeit, einem galvanisch getrennten Tab, hoher Leistungsdichte und geeignet für die Oberflächenmontage. Features * Robus...